uvled原理

1.UVLED發光機理：PN結的端電壓構成一定的勢壘。 當正向偏置電壓時勢壘減小時，P區域和N區域中的多數載流子彼此擴散。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴散到P區，從而在P區中注入少數載流子。 這些電子與價帶中的空穴復合，并且在復合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結發光的原理。
2，UVLED發光效率：通常稱為組分的外部量子效率，是組分內部的量子效率與組分提取效率的乘積。 所謂的組件內部量子效率實際上就是組件本身的電光轉換效率，這主要與組件本身的特性（例如組件材料的能帶，缺陷和雜質）有關。），勢壘晶體的組成成分和結構。 組件的提取效率是指組件內部產生的光子數，在組件自身吸收，折射和反射之后，實際上可以在組件外部對其進行測量。 因此，與提取效率相關的因素包括組分材料本身的吸收，組分的幾何結構，組分和包裝材料的折射率差以及組分結構的散射特性。 成分的內部量子效率與成分的提取效率的乘積是整個成分的發光效果，即成分的外部量子效率。 早期組件開發的重點是改善其內部量子效率，主要方法是提高勢壘晶體的質量并改變勢壘晶體的結構，以使電能不容易轉化為熱量，然后間接增加發光量 UVLED的效率，從而獲得70%左右的理論內部量子效率，但是這樣的內部量子效率幾乎接近理論極限。 在這種情況下，僅通過增加模塊內部量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此，提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 當前的方法主要是：改變晶粒形狀TIP結構，進行表面粗糙化技術。
3，UVLED電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線類似于PN結，正向方向的很小變化導通電壓將引起正向電流的較大變化（指數級），反向漏電流非常小，有反向擊穿電壓。 在實際使用中，您應該選擇。UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小，負溫度系數。UVLED消耗功率，其中一部分被轉換為光能，這是我們所需要的。 其余部分轉化為熱量，從而提高了結溫。 耗散的熱量（功率）可以表示為。
4.UVLED光學特性：UVLED提供具有較大半寬度的單色光。 由于半導體的能隙隨著溫度的升高而減小，因此其發射的峰值波長隨溫度的升高而增加，即光譜紅移，溫度系數為+ 2?3A /。UVLED發光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加，發光亮度也大約增加。 另外，發光亮度也與環境溫度有關。 當環境溫度高時，復合效率降低并且發光強度降低。5.UVLED熱學特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環境溫度高，UVLED的主波長將發生紅移，亮度會降低，并且光的均勻性和一致性會變差。 尤其是，點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩定性具有更大的影響。 因此散熱設計非常重要。UVled光源
6，UVLED壽命：UVLED長期工作會由于光衰減而引起老化，特別是對于高功率的UVLED，光衰減的問題更為嚴重。 在測量UVLED的壽命時，僅將燈泡的損壞作為UVLED壽命的終點是不夠的。LED的壽命應由UVLED的光衰減百分比指定，例如35%，這更有意義。。
7。 大功率UVLED包裝：主要考慮散熱和發光。 關于散熱，請使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好，性價比更高。 在發光方面，采用倒裝芯片技術，并且在底面和側面上添加反射面以反射浪費的光能，從而可以獲得更多的消光光。

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